NCP5359ADR2G
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記述:
IC MOSFET ゲート DVR DUAL 8-SOIC
カテゴリー:
集積回路IC
仕様
製品カテゴリー::
ゲートの運転者
高横電圧 - マックス (ブートストラップ)::
30V
昇降時間 (タイプ):
16n,15n
論理電圧 - VIL,HIV::
1V,2V
電圧 - 供給::
10V ~ 13.2V
チャンネルタイプ::
シンクロン
@ qty ::
0
マウントタイプ::
表面マウント
メーカー::
単体
最小数量::
2500
Factory Stock ::
0
動作温度::
0°C ~ 150°C (TJ)
ドライバー数::
2
シリーズ::
-
供給者のデバイスパッケージ::
8-SOIC
部品の状態::
時代遅れ
パッケージ::
テープ&リール (TR)
ゲートタイプ::
N-Channel MOSFET
駆動設定::
ハーフブリッジ
入力タイプ::
非逆になること
パッケージ/ケース::
8-SOIC （0.154"、3.90mmの幅）
電流 - ピーク出力 (源,シンク):
-
紹介
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タグ:
集積回路IC
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