AU5517DR2G
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記述:
トランスコンダクタンスアンプTWO 制御電流TR
カテゴリー:
集積回路IC
仕様
稼働電流::
2.6 mA
Ib - 入力バイアス電流::
5uA
マウントスタイル::
SMD/SMT
最低動作温度::
- 40°C
SR - スレウレート:
50 V/us
供給電圧 - マックス::
44ボルト
パッケージ/ケース::
SOIC-16
最大動作温度::
+ 125 C
供給電圧 - Min::
4V
パッケージ::
リール
チャネルごとの出力電流::
650のuA
製品カテゴリー::
トランスコンダクタンスアンプ
前向トランスコンダクタンス - Min:
5400 US
GBP - 帯域幅増加製品::
2MHz
チャンネル数::
2 チャネル
Vos - 入力オフセット電圧::
5 mV
シリーズ::
NE5517
メーカー::
単体
紹介
AU5517DR2Gは Onsemiのトランスコンダクタンスアンプです. 世界市場で競争力のある価格で, オリジナルと新しい部品で提供しています.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!
タグ:
集積回路IC
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