NE3513M04-T2B-A
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記述:
FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD
カテゴリー:
分離した半導体デバイス
内部在庫:
ストック
支払方法:
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタンユニオン、マネーグラム
輸送方法:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
RF FET,MOSFET
製品の状況:
時代遅れ
構成:
Nチャンネル
定数電圧:
4V
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
-
騒音数:
0.65dB
供給者のデバイスパッケージ:
4 スーパーミニカビ
電圧-テスト:
2ボルト
Mfr:
セル
頻度:
12GHz
利益:
13dB
パッケージ/ケース:
4-SMD,フラットリード
現在-テスト:
10mA
電力 - 輸出:
125mW
テクノロジー:
GaAs HJ-FET
定位電流 (アンプ):
60mA
紹介
RF モスフェット 2V 10mA 12GHz 13dB 125mW 4スーパーミニモールド
タグ:
分離した半導体デバイス
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: