RN1441ATE85LF
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記述:
トランスプレビアス NPN 20V 0.3A SMINI
カテゴリー:
分離した半導体デバイス
内部在庫:
ストック
支払方法:
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタンユニオン、マネーグラム
輸送方法:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
電流 - コレクター (Ic) (最大):
300 mA
製品の状況:
時代遅れ
トランジスタタイプ:
前偏りのあるNPN -
マウントタイプ:
表面マウント
頻度 - 移行:
30のMHz
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
シリーズ:
-
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic:
100mV @ 3mA, 30mA
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
20V
供給者のデバイスパッケージ:
S小型
抵抗 - ベース (R1):
5.6 kOhms
Mfr:
トシバ半導体およびストレージ
電流 - コレクターの切断値 (最大):
100nA （ICBO）
パワー - マックス:
200mW
パッケージ/ケース:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce:
200 @ 4mA, 2V
基本製品番号:
RN1441
紹介
バイアス式バイポーラトランジスタ (BJT) NPN - バイアス式20V 300mA 30MHz 200mW 表面マウント S-Mini
タグ:
分離した半導体デバイス
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: