PTFA241301E V1

記述:
IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2
カテゴリー:
分離した半導体デバイス
内部在庫:
ストック
支払方法:
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタンユニオン、マネーグラム
輸送方法:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET RF FET,MOSFET
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
表面マウント
定数電圧:
65ボルト
パッケージ:
トレー
シリーズ:
ゴールドモス®
騒音数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
H-30260-2
電圧-テスト:
28V
Mfr:
インフィニオン・テクノロジーズ
頻度:
2.42GHz
利益:
14dB
パッケージ/ケース:
2 フラットパック,フィンリード
現在-テスト:
1.15のA
電力 - 輸出:
130W
テクノロジー:
ldmos
定位電流 (アンプ):
10µA
紹介
RF モスフェット 28 V 1.15 A 2.42GHz 14dB 130W H-30260-2
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: