NE3512S02-T1C-A
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記述:
HJ-FET NCH 13.5DB S02
カテゴリー:
分離した半導体デバイス
内部在庫:
ストック
支払方法:
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタンユニオン、マネーグラム
輸送方法:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
RF FET,MOSFET
製品の状況:
時代遅れ
定数電圧:
4V
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
シリーズ:
-
騒音数:
0.35dB
供給者のデバイスパッケージ:
S02
電圧-テスト:
2ボルト
Mfr:
セル
頻度:
12GHz
利益:
13.5dB
パッケージ/ケース:
4-SMD,フラットリード
現在-テスト:
10mA
電力 - 輸出:
-
テクノロジー:
GaAs HJ-FET
定位電流 (アンプ):
70mA
基本製品番号:
NE3512
紹介
RF モスフェット 2V 10mA 12GHz 13.5dB S02
タグ:
分離した半導体デバイス
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: