DTC114YUBHZGTL
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記述:
NPNデジタルトランジスタ (BUI付き)
カテゴリー:
分離した半導体デバイス
内部在庫:
ストック
支払方法:
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタンユニオン、マネーグラム
輸送方法:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
電流 - コレクター (Ic) (最大):
100MA
製品の状況:
新しい デザイン の ため の もの で は ない
トランジスタタイプ:
前偏りのあるNPN -
マウントタイプ:
表面マウント
頻度 - 移行:
250 MHz
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
シリーズ:
自動車,AEC-Q101
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic:
300mV @ 250μA, 5mA
供給者のデバイスパッケージ:
UMT3F
抵抗 - ベース (R1):
10のkOhms
Mfr:
ローム半導体
レジスタ - エミッターベース (R2):
47のkOhms
電流 - コレクターの切断値 (最大):
-
パワー - マックス:
200mW
パッケージ/ケース:
SC-85
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce:
68 @ 5mA, 5V
基本製品番号:
DTC114
紹介
バイアス式バイポーラトランジスタ (BJT) NPN - バイアス式100 mA 250 MHz 200 mW 表面マウント UMT3F
タグ:
分離した半導体デバイス
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: