1214GN-180LV
![品質 [#varpname#] 工場](/images/load_icon.gif){kind=icon}
記述:
TRAN,GAN 1200-1400MHz 180W
カテゴリー:
分離した半導体デバイス
内部在庫:
ストック
支払方法:
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタンユニオン、マネーグラム
輸送方法:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
RF FET,MOSFET
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
表面マウント
定数電圧:
150V
パッケージ:
散装品
シリーズ:
-
騒音数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
55-KR
電圧-テスト:
50V
Mfr:
マイクロチップ技術
頻度:
1.2GHz~1.4GHz
利益:
17dB
パッケージ/ケース:
55-KR
現在-テスト:
60 mA
電力 - 輸出:
180W
テクノロジー:
HEMT
定位電流 (アンプ):
-
紹介
RF モスフェット 50 V 60 mA 1.2GHz ~ 1.4GHz 17dB 180W 55-KR
タグ:
分離した半導体デバイス
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: