CG2H40120F
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記述:
120W GAN HEMT 28V 4.0GHZ G2
カテゴリー:
分離した半導体デバイス
内部在庫:
ストック
支払方法:
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタンユニオン、マネーグラム
輸送方法:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
RF FET,MOSFET
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
シャーシマウント
定数電圧:
84ボルト
パッケージ:
トレー
シリーズ:
-
騒音数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
440223
電圧-テスト:
28V
Mfr:
ウォルフスピード株式会社
頻度:
2.5GHz
利益:
20dB
パッケージ/ケース:
440223
現在-テスト:
1A
電力 - 輸出:
130W
テクノロジー:
HEMT
定位電流 (アンプ):
28A
基本製品番号:
CG2H40120
紹介
RF モスフェット 28 V 1 A 2.5GHz 20dB 130W 440223
タグ:
分離した半導体デバイス
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: