NPT35015D
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記述:
HEMT N-CH 28V 18W 3300-3800MHZ
カテゴリー:
分離した半導体デバイス
内部在庫:
ストック
支払方法:
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタンユニオン、マネーグラム
輸送方法:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
RF FET,MOSFET
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
表面マウント
定数電圧:
100V
パッケージ:
トューブ
シリーズ:
-
騒音数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
8-SOIC-EP
電圧-テスト:
28V
Mfr:
MACOM テクノロジーソリューション
頻度:
3.3GHz ~ 3.8GHz
利益:
10.5dB
パッケージ/ケース:
8-SOIC (0.154 インチ、3.90mm 幅) 露出パッド
現在-テスト:
200mA
電力 - 輸出:
1.7W
テクノロジー:
HEMT
定位電流 (アンプ):
5A
基本製品番号:
NPT35015
紹介
RF モスフェット 28 V 200 mA 3.3GHz ~ 3.8GHz 10.5dB 1.7W 8-SOIC-EP
タグ:
分離した半導体デバイス
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: