NSB9435T1G
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記述:
トランスプレビアス PNP 30V 3MA SOT223
カテゴリー:
分離した半導体デバイス
内部在庫:
ストック
支払方法:
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタンユニオン、マネーグラム
輸送方法:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
電流 - コレクター (Ic) (最大):
3A
製品の状況:
アクティブ
トランジスタタイプ:
PNP - 偏見がある
マウントタイプ:
表面マウント
頻度 - 移行:
110 MHz
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
シリーズ:
-
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic:
550mV @ 300mA, 3A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
30V
供給者のデバイスパッケージ:
SOT-223 (TO-261)
抵抗 - ベース (R1):
10のkOhms
Mfr:
単体
電流 - コレクターの切断値 (最大):
-
パワー - マックス:
720 mW
パッケージ/ケース:
TO-261-4, TO-261AA について
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce:
125 @ 800mA,1V
基本製品番号:
NSB9435
紹介
バイアス型バイポラールトランジスタ (BJT) PNP - バイアス型バイアス型30 V 3 A 110 MHz 720 mW 表面マウント SOT-223 (TO-261)
タグ:
分離した半導体デバイス
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: