MG12200D-BN2MM
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記述:
IGBT モジュール 1200V 290A 1050W D3
カテゴリー:
分離した半導体デバイス
内部在庫:
ストック
支払方法:
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタンユニオン、マネーグラム
輸送方法:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大):
290 A
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
散装品
シリーズ:
-
パッケージ/ケース:
モジュール
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
1.7V @ 15V,200A (タイプ)
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
1200V
供給者のデバイスパッケージ:
D3
Mfr:
リトルファース
動作温度:
-40°C ~ 125°C (TJ)
電流 - コレクターの切断値 (最大):
1mA
IGBTタイプ:
トレンチフィールドストップ
パワー - マックス:
1050W
インプット:
スタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce:
14 nF @ 25 V
構成:
ハーフブリッジ
NTC サーミストール:
はい
紹介
IGBTモジュール トレンチフィールドストップ ハーフブリッジ 1200 V 290 A 1050 W シャーシマウント D3
タグ:
分離した半導体デバイス
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: