FS50R12W2T7B11BOMA1
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記述:
IGBT MOD 1200V 50A
カテゴリー:
分離した半導体デバイス
内部在庫:
ストック
支払方法:
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタンユニオン、マネーグラム
輸送方法:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大):
50A
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
トレー
シリーズ:
EasyPACK™
パッケージ/ケース:
モジュール
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
1.5V @ 15V, 50A (タイプ)
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
1200V
供給者のデバイスパッケージ:
モジュール
Mfr:
インフィニオン・テクノロジーズ
動作温度:
-40℃～175℃
電流 - コレクターの切断値 (最大):
7.9 μA
IGBTタイプ:
トレンチフィールドストップ
パワー - マックス:
20mW
インプット:
スタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce:
11.1のnF @ 25ボルト
構成:
完全な橋
NTC サーミストール:
はい
基本製品番号:
FS50R12
紹介
IGBTモジュール トレンチフィールドストップ フルブリッジ 1200 V 50 A 20 mW シャーシマウントモジュール
タグ:
分離した半導体デバイス
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: