DRC5643T0L
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記述:
トランスプレビアス NPN 150MW SMINI3
カテゴリー:
分離した半導体デバイス
内部在庫:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
輸送方法:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
電流 - コレクター (Ic) (最大):
600 mA
製品の状況:
Digi-Keyで発売中止
トランジスタタイプ:
前偏りのあるNPN -
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
シリーズ:
-
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic:
80mV @ 2.5mA, 50mA
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
20V
供給者のデバイスパッケージ:
SMini3 F2B
抵抗 - ベース (R1):
4.7キロオーム
Mfr:
パナソニック電子部品
電流 - コレクターの切断値 (最大):
1μA (ICBO)
パワー - マックス:
150 MW
パッケージ/ケース:
SC-85
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce:
100 @ 50mA 5V
基本製品番号:
DRC5643
紹介
プレバイアスバイアスバイアスバイアスバイアスバイアスバイアスバイアスバイアスバイアスバイアスバイアスバイアスバイアスバイアスバイアスバイアスバイアスバイアスバイアス
タグ:
分離した半導体デバイス
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: