PTFA081501E V1
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記述:
FET RF 65V 900MHZ H-30248-2
カテゴリー:
分離した半導体デバイス
内部在庫:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
輸送方法:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
RF FET,MOSFET
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
表面マウント
定数電圧:
65ボルト
パッケージ:
トレー
シリーズ:
ゴールドモス®
騒音数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
H-30248-2
電圧-テスト:
28V
Mfr:
インフィニオン・テクノロジーズ
頻度:
900MHz
利益:
18dB
パッケージ/ケース:
2 フラットパック,フィンリード,フラング
現在-テスト:
950 mA
電力 - 輸出:
150W
テクノロジー:
ldmos
定位電流 (アンプ):
10µA
紹介
RF モスフェット 28 V 950 mA 900MHz 18dB 150W H-30248-2
タグ:
分離した半導体デバイス
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: