DDTA114WCA-7-F
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記述:
トランスプレビアス PNP 200MW SOT23-3
カテゴリー:
分離した半導体デバイス
内部在庫:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
輸送方法:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
電流 - コレクター (Ic) (最大):
100MA
製品の状況:
アクティブ
トランジスタタイプ:
PNP - 偏見がある
頻度 - 移行:
250 MHz
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
-
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic:
300mV @ 500µA、10mA
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
50V
供給者のデバイスパッケージ:
SOT-23-3
抵抗 - ベース (R1):
10のkOhms
Mfr:
ディオード組み込み
レジスタ - エミッターベース (R2):
4.7キロオーム
電流 - コレクターの切断値 (最大):
500nA
パワー - マックス:
200mW
パッケージ/ケース:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce:
24 @ 10mA 5V
基本製品番号:
DDTA114
紹介
バイアス式バイポラトランジスタ (BJT) PNP - バイアス式50 V 100 mA 250 MHz 200 mW 表面マウント SOT-23-3
タグ:
分離した半導体デバイス
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: