BLF8G27LS-100PU
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記述:
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121B
カテゴリー:
分離した半導体デバイス
内部在庫:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
輸送方法:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
RF FET,MOSFET
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
表面マウント
定数電圧:
65ボルト
パッケージ:
トレー
構成:
二重 共通 源
シリーズ:
-
騒音数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
LDMOST
電圧-テスト:
28V
Mfr:
アムプレオン アメリカ 株式会社
頻度:
2.5GHz ~ 2.7GHz
利益:
18dB
パッケージ/ケース:
SOT-1121B
現在-テスト:
860 mA
電力 - 輸出:
25W
テクノロジー:
ldmos
定位電流 (アンプ):
-
基本製品番号:
BLF8G27
紹介
RF モスフェット 28 V 860 mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 18dB 25W LDMOST
タグ:
分離した半導体デバイス
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: