BLF879PS、112
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記述:
RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B
カテゴリー:
分離した半導体デバイス
内部在庫:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
輸送方法:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
RF FET,MOSFET
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
表面マウント
定数電圧:
104V
パッケージ:
トレー
構成:
二重 共通 源
シリーズ:
-
騒音数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
SOT539B
電圧-テスト:
42ボルト
Mfr:
アムプレオン アメリカ 株式会社
頻度:
860MHz
利益:
21dB
パッケージ/ケース:
SOT-539B
現在-テスト:
1.3 A
電力 - 輸出:
200W
テクノロジー:
ldmos
定位電流 (アンプ):
-
紹介
RF モスフェット 42 V 1.3 A 860MHz 21dB 200W SOT539B
タグ:
分離した半導体デバイス
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: