0912GN-100LV
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記述:
TRAN, GAN, 960-1215MHZ, 100W, 5
カテゴリー:
分離した半導体デバイス
内部在庫:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
輸送方法:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
RF FET,MOSFET
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
表面マウント
定数電圧:
150V
パッケージ:
散装品
シリーズ:
LV
騒音数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
55-KR
電圧-テスト:
50V
Mfr:
マイクロチップ技術
頻度:
960MHz ~ 1.215GHz
利益:
17.5dB
パッケージ/ケース:
55-KR
現在-テスト:
70 mA
電力 - 輸出:
110W
テクノロジー:
HEMT
定位電流 (アンプ):
-
紹介
RF モスフェット 50 V 70 mA 960MHz ~ 1.215GHz 17.5dB 110W 55-KR
タグ:
分離した半導体デバイス
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: