PBRN123YT-QR
![品質 [#varpname#] 工場](/images/load_icon.gif){kind=icon}
記述:
PBRN123YT-Q/SOT23/TO-236AB
カテゴリー:
分離した半導体デバイス
内部在庫:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
輸送方法:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
電流 - コレクター (Ic) (最大):
600 mA
製品の状況:
アクティブ
トランジスタタイプ:
前偏りのあるNPN -
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
自動車,AEC-Q101
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic:
1.15V @ 8mA,800mA
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
40V
供給者のデバイスパッケージ:
TO-236AB
抵抗 - ベース (R1):
2.2のkOhms
Mfr:
Nexperia USA Inc.
レジスタ - エミッターベース (R2):
10のkOhms
電流 - コレクターの切断値 (最大):
500nA
パワー - マックス:
250mW
パッケージ/ケース:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce:
500 @ 600mA 5V
基本製品番号:
PBRN123
紹介
バイアス式バイポーラトランジスタ (BJT) NPN - バイアス式40 V 600 mA 250 mW 表面マウント TO-236AB
タグ:
分離した半導体デバイス
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: