BLF6G22LS-130112
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記述:
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
カテゴリー:
分離した半導体デバイス
内部在庫:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
輸送方法:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
RF FET,MOSFET
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
シャーシマウント
定数電圧:
65ボルト
パッケージ:
トレー
シリーズ:
-
騒音数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
SOT502B
電圧-テスト:
28V
Mfr:
アムプレオン アメリカ 株式会社
頻度:
2.11GHz ~ 2.17GHz
利益:
17dB
パッケージ/ケース:
SOT-502B
現在-テスト:
1.1 A
電力 - 輸出:
30W
テクノロジー:
ldmos
定位電流 (アンプ):
34A
基本製品番号:
BLF6G22
紹介
RF モスフェット 28 V 1.1 A 2.11GHz ~ 2.17GHz 17dB 30W SOT502B
タグ:
分離した半導体デバイス
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: