BLP8G27-10Z
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記述:
RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN
カテゴリー:
分離した半導体デバイス
内部在庫:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
輸送方法:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
RF FET,MOSFET
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
表面マウント
定数電圧:
65ボルト
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
構成:
二重 共通 源
シリーズ:
-
騒音数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
16-HVSON (6x4)
電圧-テスト:
28V
Mfr:
アムプレオン アメリカ 株式会社
頻度:
2.14GHz
利益:
17dB
パッケージ/ケース:
16-VDFN 露出パッド
現在-テスト:
110 mA
電力 - 輸出:
2W
テクノロジー:
ldmos
定位電流 (アンプ):
-
基本製品番号:
BLP8
紹介
RF モスフェット 28 V 110 mA 2.14GHz 17dB 2W 16-HVSON (6x4)
タグ:
分離した半導体デバイス
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: