APT50GP60JDQ2
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記述:
IGBT MOD 600V 100A 329W ISOTOP
カテゴリー:
分離した半導体デバイス
内部在庫:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
輸送方法:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大):
100 A
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
トューブ
シリーズ:
力MOS 7®
パッケージ/ケース:
SOT-227-4 ミニブロック
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
2.7V @ 15V,50A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
600V
供給者のデバイスパッケージ:
ISOTOP®
Mfr:
マイクロチップ技術
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
電流 - コレクターの切断値 (最大):
525 μA
IGBTタイプ:
PT
パワー - マックス:
329W
インプット:
スタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce:
5.7 nF @ 25V
構成:
シングル
NTC サーミストール:
ありません
基本製品番号:
APT50GP60
紹介
IGBT モジュール PT シングル 600 V 100 A 329 W シャーシマウント ISOTOP®
タグ:
分離した半導体デバイス
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: