VS-GB90SA120U
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記述:
IGBT MOD 1200V 149A 862W SOT227
カテゴリー:
分離した半導体デバイス
内部在庫:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
輸送方法:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大):
149 A
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
トューブ
シリーズ:
-
パッケージ/ケース:
SOT-227-4
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
3.9V @ 15V,75A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
1200V
供給者のデバイスパッケージ:
SOT-227
Mfr:
ヴィシェイ・ジェネラル・セミコンダクター - ダイオード部門
電流 - コレクターの切断値 (最大):
250 μA
IGBTタイプ:
NPT
パワー - マックス:
862W
インプット:
スタンダード
動作温度:
-40°C ~ 150°C (TJ)
構成:
シングル
NTC サーミストール:
ありません
基本製品番号:
GB90
紹介
IGBT モジュール NPT シングル 1200 V 149 A 862 W シャーシマウント SOT-227
タグ:
分離した半導体デバイス
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: